FJP1943RTU
FJP1943RTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:55@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
ZTX1053ASTZ
ZTX1053ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:75 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:260@10mA@2V|300@1A@2V|100@3A@2V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大...
2SD2674TL
2SD2674TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25mA@500...
2SD2675TL
2SD2675TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@25mA@500m...
DRDPB26W-7
DRDPB26W-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:47@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
2PD601AW
2PD601AW,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PHE13005,127
PHE13005,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@2A@5V|12@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|0.6@0.5A@2A...
SOC5401HRB
SOC5401HRB,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:CLCC-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|60@50mA@5V|20@10mA@5V; ...
PEMH13,115
PEMH13,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实...
2SB562
2SB562,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=350+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC143TUA-7-F
DDTC143TUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
ZXTN2007ZTA
ZXTN2007ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V; 最大工作频率:140(Ty...
2SD794A
2SD794A,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=70V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88A-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Su...
TD62308AFG(O,S,EL)
TD62308AFG(O,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:HSOP-18,参数:配置:Quad; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@1.25A|1.3@0.75A V; 安装方式:Surface M...
BC53-10PA,115
BC53-10PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@50...
RN1402,LF
RN1402,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
MPSA56
MPSA56,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.25V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC850BW,135
BC850BW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
2SC4482T-AN
2SC4482T-AN,功率晶体管,品牌:ON,封装:NMP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@60mA@3A V; ...