KSD1692,达林顿晶体管,由Fairchild原厂生产,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=150V,BVceo=100V,BVebo=8V,hfe(Min)=200020000,Vce(sat)=1.2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IMD8AT108,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:N/A to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
DTC143ZET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
ZTX955STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|75@3A@5V; 最大工作频率:110(Typ) MHz; 最大集电...
MJD50G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A...
BDW93C,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|750@5A@3V|100@10A@3V; 最大集电极发射极...
MMBT589,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=310mW,Ic=1000mA,BVcbo=50V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.65V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DCX53-16-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|40@500mA@2V|100@150mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz;...
MPSA14G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@100m...
TIP29CTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@4V|15@1A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
BD543A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@1A@4V|40@3A@4V|15@5A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.3A@3A|0.5@1A...
FML10T148,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25mA@500m...
BD240CTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:115 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.2A@1A V; 最大集电极...
BCW66KGE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:110@10mA@1V|160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:1...
2SA1036KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@30mA@...
PDTA115TM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
ULN2004AN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole. ...
HN1B01FDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-74-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA@NPN|0.25@10mA...
LBN150B01-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:105@100uA@1V|110@1mA@1V|120@10mA@1V|90@50mA@1V|32@...
BC368ZL1,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@0.5A@1V|60@1A@1V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
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