PZT4401,115
PZT4401,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@1V|20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V; 最大工作频率:25...
2N6520
2N6520,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=350V,BVceo=350V,BVebo=5V,hfe(Min)=30,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=40MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
UMC5N-7
UMC5N-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-353-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:30@NPN|100@PNP mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V@NPN|30@10mA@5V@PNP; 工...
NE85630-A
NE85630-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率...
MSA1162GT1G
MSA1162GT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA...
MPSA13RLRMG
MPSA13RLRMG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@1...
2SC3149M
2SC3149M,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=600mA,BVcbo=1200V,BVceo=800V,BVebo=7V,hfe(Min)=24,hfe(Max)=35,Vce(sat)=1V,fr=15+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUT70W
BUT70W,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:125 V; 最大集电极发射极饱和电压:0.9@1.75A@35A|0.9@7A@70A|1.2@1.75A@35A|1.5@7A@70A V; 最大集电极基极电压:200 V; 工作温...
NSVPZTA92T1G
NSVPZTA92T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@20...
BC858W,135
BC858W,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10m...
IMB5AT108
IMB5AT108,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TPC6901(TE85L,F,M)
TPC6901(TE85L,F,M),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VS-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1@NPN|0.7@PNP A; 最小DC直流电流增益:400@0.1A@2V|200@0.3A@2V@NPN|200@0.1A...
2N5191G
2N5191G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225AA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:25@1.5A@2V|10@4A@2V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@0.15A...
TIP120
TIP120,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12m...
2STN1550
2STN1550,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@3A@2V|135@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@300mA@3A V; 最大集电极...
FZT558TA
FZT558TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(Min) M...
MUN2141T1G
MUN2141T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
BC857AT,115
BC857AT,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
2SD667A
2SD667A,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA684
2SA684,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562