KSH3055TM
KSH3055TM,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0...
2SC4134T-E
2SC4134T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@40mA@400mA V...
BC858W
BC858W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFG35,115
BFG35,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:18 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:25@100mA@10V; 最大工作频率:4000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:25 V; 工作温度:...
2SC5949-O(Q)
2SC5949-O(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@1A@10A ...
MJE2955TG
MJE2955TG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.4A...
D965
D965,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=5000mA,BVcbo=42V,BVceo=22V,BVebo=6V,hfe(Min)=340,hfe(Max)=2000,Vce(sat)=0.35V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSP44TA
KSP44TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:40@1mA@10V|50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V; 最大集电极发...
BC856AW-7-F
BC856AW-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5...
ULN2003AFWG(ONEHZA)
ULN2003AFWG(ONEHZA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1....
ULN2065B
ULN2065B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
BCX70J,215
BCX70J,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:30@10uA@5V|250@2mA@5V|90@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最...
FMMT493ATA
FMMT493ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@10V|500@150mA@10V|300@250mA@10V|100@500mA@10V|20@...
ZTX1147A
ZTX1147A,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V|250@500mA@2V|200@2A@2V|170@4A@2V|90@10A@2V; 最大工...
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BD437
BD437,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSBC123JPDP6T5G
NSBC123JPDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
PBSS302NX,115
PBSS302NX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5.3 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|200@4A@2V|200@6A@2V; 最大...
NSS1C301ET4G
NSS1C301ET4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|200@0.5A@2V|120@1A@2V|80@03A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
DDTC114GUA-7-F
DDTC114GUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...