2SC2235
2SC2235,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PXT2222A,115
PXT2222A,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|50@150mA@10V|100@150...
NE85618-T1-A
NE85618-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...
PDTD113ZT,215
PDTD113ZT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BC856BLT1G
BC856BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10m...
BC847CWT1G
BC847CWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
ZTX560
ZTX560,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|80@50mA@10V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
MS2215
MS2215,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:Case-4 M216,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:55 V; 最大DC直流集电极电流:16.5 A; 最小DC直流电流增益:20@5A@5V; 最大工作频率:1215 MHz; 最大集电极基极电压:55 V; 工作温度:-65 ...
SMBT3906E6327
SMBT3906E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@10...
NST847BF3T5G
NST847BF3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
BCR116WE6327
BCR116WE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
TIP41AG
TIP41AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@600m...
DDTC114EUA-7-F
DDTC114EUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
DTA115GKAT146
DTA115GKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BD236STU
BD236STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@1A@2V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
BFU530R
BFU530R,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:60@10mA@8V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 mW; 安装方式:Surface...
2SA1013
2SA1013,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=15MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
CPH5905G-TL-E
CPH5905G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
DDTC115TE-7-F
DDTC115TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
KSA1015YTA
KSA1015YTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10m...