D45H11G
D45H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A...
2SC5866TLR
2SC5866TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@1A V...
2SA1013
2SA1013,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=15MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX55TA
BCX55TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电...
US6T4TR
US6T4TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:270@500mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@30mA@1.5A V...
DDB6U134N16RR
DDB6U134N16RR,二极管模块带有斩波IGBT,品牌:Infineon,封装:Module-19,参数:分类:Diode Module with Chopper-IGBT; 引脚数目:19; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:DDB6U134N16RR; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
MUN5212DW1T1G
MUN5212DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
BFP196E6327
BFP196E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@8V; 最大工作频率:7500(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工...
BUL741
BUL741,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:2.5 A; 最小DC直流电流增益:48@0.1A@5V|25@0.45A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.14A...
MUN5332DW1T1G
MUN5332DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
D882
D882,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP41C-S
TIP41C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@6A V; 最大集电极基极电压...
MJD350T4G
MJD350T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作...
CPH3109-TL-E
CPH3109-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:380(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.23@30mA@1.5A...
2SC2236
2SC2236,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZUMT619TA
ZUMT619TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|300@100mA@2V|200@500mA@2V|75@1A@2V|20@1.5A@2V...
2SC4115S
2SC4115S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=290+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD45H11G
MJD45H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:90(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V;...
BD140G
BD140G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A ...
2SB1184
2SB1184,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=70+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...