DTA114YKA
DTA114YKA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSM4002MR6T1G
NSM4002MR6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-74-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40@Q1|45@Q2 V; 最大DC直流集电极电流:0.2@Q1|0.5@Q2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@5...
BSS64LT1G
BSS64LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@10mA@1V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@400uA@4mA|...
MMJT350T1G
MMJT350T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V|20@100mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-55 to 15...
TPCP8J01(TE85L,F,M)
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...
DCP68-13
DCP68-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V; 最大工作频率:330(Typ) MHz; 最大集电...
TD62084AFNG(O,N)
TD62084AFNG(O,N),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@20...
NSBC143ZDP6T5G
NSBC143ZDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
PUMH14,115
PUMH14,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
RN1404(TE85L,F)
RN1404(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
DCX124EU-7-F
DCX124EU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
BC556BTF
BC556BTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
2SA1201YTE12LCF
2SA1201YTE12LCF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
2SC2712-GR,LF
2SC2712-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极...
PEMH1,115
PEMH1,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
MMBT5962
MMBT5962,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:450@10uA@5V|500@100uA@5V|550@1mA@5V|600@10mA@5V; 最大集电极...
DTC143TUAT106
DTC143TUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
NSVMMUN2131LT1G
NSVMMUN2131LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BUJD203AD,118
BUJD203AD,118,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:425 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|13@500mA@5V|11@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.6A@3A V; ...
BC557
BC557,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562