BDV65BG
BDV65BG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@0.02A@5A V; 最大集电极基极电压:100 V; ...
TIP125G
TIP125G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@5...
MJD350T4
MJD350T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ...
ZX5T851ASTZ
ZX5T851ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@2A@1V|55@5A@1V|20@10A@1V; 最大工作频率:130(T...
BC546
BC546,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=80V,BVceo=65V,BVebo=6V,hfe(Min)=110,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZUMT717TA
ZUMT717TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.25 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|200@500mA@2V|125@1.25A@2V|75@...
KSA928AOTA
KSA928AOTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92L-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@500mA@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:2@30mA...
RN2410(TE85L,F)
RN2410(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
MMBTH10RG
MMBTH10RG,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@6V; 最大工作频率:450(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA...
MJD31CT4-A
MJD31CT4-A,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; 最大集电极基...
MUN5238T1G
MUN5238T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
TIP142G
TIP142G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3@40mA@10A...
ST13003-K
ST13003-K,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0....
DZT491-13
DZT491-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|30@2A@5V; 最大工作频率:150(Min...
FMMT555TA
FMMT555TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@10V|50@300mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
2SD2400AE
2SD2400AE,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TO-220FN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:100@0.1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@0.1@1A V; 最大集电极基极电压:160 V; ...
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
2SC2314
2SC2314,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=75V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,fr=180MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC856T,115
BC856T,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
2SB1203T-TL-E
2SB1203T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.55@0.15A@3...