2SB1198KT146Q
2SB1198KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
BC817-16W-7
BC817-16W-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发...
TIP107G
TIP107G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80mA@8A...
TIP127F
TIP127F,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,hfe(Max)=-,Vce(sat)=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PZT2222AT3G
PZT2222AT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|70@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150m...
2SC4672T100P
2SC4672T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:82@500mA@2V; 最大工作频率:210(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@50mA@1A ...
PHE13005,127
PHE13005,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@2A@5V|12@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|0.6@0.5A@2A...
DMB54D0UV-7
DMB54D0UV-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UV; 安装...
UMT3904T106
UMT3904T106,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; 最...
DDTA143EUA-7-F
DDTA143EUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:3@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SA1163-GR,LF
2SA1163-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-236-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压...
3DA5371
3DA5371,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD137
BD137,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=190+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTC143EU,115
PDTC143EU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
PHPT610035NKX
PHPT610035NKX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:LFPAK-56D-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@1V|150@500mA@10V|80@1A@10V|20@2A@10V|10@3A@10V;...
BD676AS
BD676AS,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:45...
2SC3648S-TD-E
2SC3648S-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@25mA@2...
DCX124EUQ-13R-F
DCX124EUQ-13R-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
PBRP113ZT,215
PBRP113ZT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:190@50mA@5V|230@300mA@5V|190@600mA@5V; 工作温度:-55 t...