PZTA92T1G
PZTA92T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最...
BDW93C-S
BDW93C-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|750@5A@3V|100@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@20m...
PUMD30,115
PUMD30,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BCR112 E6327
BCR112 E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
APT13003EZTR-G1
APT13003EZTR-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:465(Min) V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:15@0.3A@2V|13@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0...
MMBTA42
MMBTA42,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=500mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FMA4AT148
FMA4AT148,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
MMDT2222V-7
MMDT2222V-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@100uA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@...
2SC5729T106Q
2SC5729T106Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@50mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@10...
PMST2369,115
PMST2369,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@1V|20@100mA@2V; 最大工作频率:500(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
SMUN5114DW1T1G
SMUN5114DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
FMMT6517TA
FMMT6517TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:20@1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|15@100m...
MMST2222A
MMST2222A,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=600mA,BVcbo=75V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=1V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
START499TR
START499TR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:160(Typ)@160mA@4V; 最大工作频率:42000 MHz; 最大集电...
DDA114EH-7
DDA114EH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
BCR116W H6327
BCR116W H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
2SD667A
2SD667A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD242B-S
BD242B-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A V; 工作温度:-65 to ...
MMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
2N5192
2N5192,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:20@1.5A@2V|7@4A@2V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@0.1...