SN75469D
SN75469D,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
30A02MH-TL-E
30A02MH-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V; 最大工作频率:520(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.22@10mA@20...
DSS2540M-7
DSS2540M-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|150@100mA@2V|50@500mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz;...
ZXTN25050DFHTA
ZXTN25050DFHTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|240@1A@2V|20@4A@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; ...
ULN2003APG,CN
ULN2003APG,CN,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@200m...
BFG67/X,215
BFG67/X,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:60@15mA@5V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 ...
PHPT610035PKX
PHPT610035PKX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:LFPAK-56D-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:150@500mA@10V|80@1A@10V|20@2A@10V|100@1A@2V|10@3A@10V...
UPA800T-A
UPA800T-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200...
FCX591
FCX591,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
JANTX2N3700
JANTX2N3700,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V|15@1A@10V...
PDTC144WMB,315
PDTC144WMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BFR460L3E6327
BFR460L3E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSLP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:90@20mA@3V; 最大工作频率:22000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 V;...
2SB1197KT146R
2SB1197KT146R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
EMF9T2R
EMF9T2R,双晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:分类:Dual Transistors; 引脚数目:6; 工作温度:N/A to 150 ℃; 所属系列:EMF9; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2SC2873-Y(TE12L,CF)
2SC2873-Y(TE12L,CF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
SBF720T1G
SBF720T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@5mA@30mA V; 最大集电极基极电压:300 V;...
STLD128DN
STLD128DN,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1@...
BCR35PNH6433XTMA1
BCR35PNH6433XTMA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surf...
RN1405,LF
RN1405,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
2SB1123S-TD-E
2SB1123S-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@1A V...