AT-30511-BLKG
AT-30511-BLKG,功率晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.008 A; 最小DC直流电流增益:70@1mA@2.7V; 最大工作频率:10000 MHz; 最大集电极基极电压:11 V; 工作...
BD682S
BD682S,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电...
2SD1757K
2SD1757K,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=15V,BVebo=6.5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
15C01SS-TL-E
15C01SS-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:SSFP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V; 最大工作频率:330(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@200...
DDTB123YC-7-F
DDTB123YC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
MMBTA56LT3G
MMBTA56LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
ULN2003BN
ULN2003BN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V; 工...
DTA143XEBTL
DTA143XEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
NMLU1210TWG
NMLU1210TWG,功率MOS管,带有全桥整流,品牌:ON,封装:UDFN-8 EP,参数:分类:Power MOSFET with Full Bridge Rectifier; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 125 ℃; 所属系列:NMLU1210; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新...
MJD44H11T4
MJD44H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 工作...
PXT2907A,115
PXT2907A,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@1V|100@1mA@1V|100@10mA@10V|100@150mA@2V|50@500m...
2SC5866TLQ
2SC5866TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@1A V...
TIP32C
TIP32C,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.2V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
START499ETR
START499ETR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:160(Typ)@160mA@4V; 最大工作频率:42000 MHz; 最大集...
ZXTP25015DFHTA
ZXTP25015DFHTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|200@1A@2V|90@4A@2V; 最大工作频率:295(Typ) MHz; ...
KTA1275
KTA1275,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=15MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1309A
2SA1309A,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=7V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.3V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LM395T/NOPB
LM395T/NOPB,功率晶体管,品牌:TI,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:36 V; 最大集电极基极电压:36 V; 工作温度:0 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
NSVMUN5312DW1T2G
NSVMUN5312DW1T2G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
SMUN2211T3G
SMUN2211T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...