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2SC3332R-AA

2SC3332R-AA,功率晶体管,品牌:ON,封装:NP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@25mA@250m...

MUN5230DW1T1G

MUN5230DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:3@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...

KTA1241

KTA1241,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

DTA123JKAT246

DTA123JKAT246,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-346-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...

SD1726

SD1726,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:Case-4 M-174,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:55 V; 最大DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:18@1.4A@6V; 最大集电极基极电压:110 V; 工作温度:-65 to 200...

PMBTA42DS,125

PMBTA42DS,125,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; ...

MJL21195G

MJL21195G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-3BPL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:25@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@0.8A@8A|4@3.2...

ZTX550

ZTX550,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@10V|15@1A@10V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....

2SD468

2SD468,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=190+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PBSS5440D,115

PBSS5440D,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|200@1A@2V|175@2A@2V|80@4A@2V|30@6A@2V; 最大工作频率:1...

2SB766A

2SB766A,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...

ULN2075B

ULN2075B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...

BC848B,215

BC848B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA...

BC556

BC556,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=80V,BVceo=65V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BCR116WE6327

BCR116WE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...

PDTC115TMB,315

PDTC115TMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...

2SB1184

2SB1184,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=70+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...

TIP142T

TIP142T,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10...

BFG93A,215

BFG93A,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:40@30mA@5V; 最大工作频率:6000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度...

BD743C-S

BD743C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:40@1A@4V|20@5A@4V|5@15A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@5A|3@4A@1...