SKP02N60XKSA1
SKP02N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
2SK160A-T1B-A(RANK K
2SK160A-T1B-A(RANK K25),场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:20 mA; 最大门源电压:-50 V; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:...
IRF640NS
IRF640NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTG30N60FWG
NGTG30N60FWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购买...
IHW20N120R3
IHW20N120R3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
IRG4PC50W
IRG4PC50W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=27A,Vce(ON)@25C typ=1.93V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9393
IRF9393,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB20N120IHSWG
NGTB20N120IHSWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFB5620
IRFB5620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=72.5mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7413
IRF7413,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGB7N60UNDF
FGB7N60UNDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
STGB8NC60KT4
STGB8NC60KT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电...
FZ800R16KF4
FZ800R16KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1600 V; 最大连续集电极电流:800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式...
BSM35GB120DN2
BSM35GB120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IGB10N60TATMA1
IGB10N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF8736PBF-1
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM0910-2
TIM0910-2,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-9D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:2600 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PH50S-E
IRG4PH50S-E,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=33A,Vce(ON)@25C typ=1.47V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8734
IRF8734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7821
IRF7821,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562