2SK596S-B
2SK596S-B,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGB18N40LZT4
STGB18N40LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报...
IRGP4066PBF
IRGP4066PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRFIZ48N
IRFIZ48N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG8P08N120KDPBF
IRG8P08N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃....
IRFHM9331
IRFHM9331,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3 x 3封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,Qg Typ=16.0nC,Rth(JC)=6.0K/W,Id@TC 25C=-24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
IRG4PH40KD
IRG4PH40KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=2.74V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGF7NC60HD
STGF7NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRFR13N20D
IRFR13N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=235.0mOhms,Id=14A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU4615
IRFU4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGP3040G2_F085
FGP3040G2_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 17...
IRFZ44ZL
IRFZ44ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BLF644PU
BLF644PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1228A-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:65 V; 最大门源电压:11 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRG4CF50WB
IRG4CF50WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=900V,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7452
IRF7452,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
F3L15R12W2H3B27BOMA1
F3L15R12W2H3B27BOMA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:34-Pin EASY2B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:34; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-...
STGFW30V60F
STGFW30V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRFS4410
IRFS4410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=96A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RGT80TS65DGC11
RGT80TS65DGC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
IRF7341
IRF7341,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=65mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562