2SK596S-C
2SK596S-C,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SC-72-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFR7446
IRFR7446,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.9mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7530
IRFP7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=281A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME3-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1390 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF9Z24NS
IRF9Z24NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=45W,Id@TC 25C=-12A...
IRGP6660D
IRGP6660D,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7832PBF-1
IRF7832PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK2394-7-TB-E
2SK2394-7-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGB4B60K
IRGB4B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.8A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKW25N120
SKW25N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
STGF6NC60HD
STGF6NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRFS4127
IRFS4127,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4091
MMBF4091,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGB14C40LPBF
IRGB14C40LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
IRFP4310Z
IRFP4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4410
IRFS4410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=96A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB30V60DF
STGB30V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 t...
IRF7807VPBF-1
IRF7807VPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BLF644PU
BLF644PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1228A-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:65 V; 最大门源电压:11 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFHM830
IRFHM830,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562