IRF3546M
IRF3546M,60A双集成电源模块,由IR原厂生产,PQFN 6 x 8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=18.4C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6723M2D
IRF6723M2D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MA封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.3mOhms,Rth(JA)=56C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRG4BC30U-S
AUIRG4BC30U-S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IKP10N60TXKSA1
IKP10N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFR3303
IRFR3303,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7RC10FD
IRG7RC10FD,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=9.0A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2803
IRLML2803,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=250.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM3742-8SL-341
TIM3742-8SL-341,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:6500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897...
SKW15N120FKSA1
SKW15N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF7424
IRF7424,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.0mOhms,Qg Typ=75.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
STGW50HF60S
STGW50HF60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:110 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
FS100R12KT4G_B11
FS100R12KT4G_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...
IHW40T120FKSA1
IHW40T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGS15B60KD
IRGS15B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM300GA170DLC
BSM300GA170DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw....
IRF2907Z
IRF2907Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3704ZS
IRF3704ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKW25N120FKSA1
SKW25N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF7905
IRF7905,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIG056BF-1E
TIG056BF-1E,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:240 A; 最大栅极发射极电压:±33 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...