IRG7CH50UEF
IRG7CH50UEF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC30UD
IRG4PC30UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7440
IRFSL7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=208A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861B,215
BF861B,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
FGD3040G2_F085
FGD3040G2_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:25.6 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IHW30N160R2FKSA1
IHW30N160R2FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRF7420PBF-1
IRF7420PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=14.0mOhms,Qg Typ=38nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ620,115
PMBFJ620,115,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
FS450R12KE4
FS450R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-29,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:29; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:675 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
STGFL6NC60D
STGFL6NC60D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:7 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
VS-GA100TS60SFPBF
VS-GA100TS60SFPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:220 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
FF800R17KE3
FF800R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-10,参数:配置:Dual Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; ...
IRF3709ZS
IRF3709ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CH20KB
IRG4CH20KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.17V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC50SPBF
IRG4PC50SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG4IBC30WPBF
IRG4IBC30WPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:17 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFS3207
IRFS3207,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM50GD120DN2E3226
BSM50GD120DN2E3226,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:17-Pin ECONOPACK 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价...
IRLZ24NS
IRLZ24NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH35U
IRG7PH35U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=35A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562