VS-50MT060WHTAPBF
VS-50MT060WHTAPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-12,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:12; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:114 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGP6650D
IRGP6650D,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1404
IRF1404,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKA06N60T
IKA06N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STGW45HF60WDI
STGW45HF60WDI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
STGDL6NC60DIT4
STGDL6NC60DIT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:13 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
STGP30V60F
STGP30V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
IRGP4650DPBF
IRGP4650DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:76 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及...
NE3513M04-A
NE3513M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Su...
NGB8202NT4G
NGB8202NT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGP4640DPBF
IRGP4640DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:65 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及...
VS-25MT060WFAPBF
VS-25MT060WFAPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-16,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:16; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
PMBFJ174,215
PMBFJ174,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:135 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
TIM8596-15
TIM8596-15,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:11500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IGD06N60T
IGD06N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
ATF-34143-TR1G
ATF-34143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRG4BC30FD-S
IRG4BC30FD-S,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=17A,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7832
IRF7832,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGPF50N33BTTU
FGPF50N33BTTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGR2B60KDPBF
IRGR2B60KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6.3 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...