IRG4CC80SB
IRG4CC80SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2905Z
IRLR2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB40N120FLWG
NGTB40N120FLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FGH40T120SMD_F155
FGH40T120SMD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to ...
STGW60V60DLF
STGW60V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7PH35UD
IRG7PH35UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK932-23-TB-E
2SK932-23-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFSL3004
IRFSL3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS100R17KE3
FS100R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:145 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买...
IKW40N120H3
IKW40N120H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single Quad Collector Triple Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大栅极发射极电压:±6 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,...
IRFH8334PBF-1
IRFH8334PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6726M
IRF6726M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKA06N60T
IKA06N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFB5620
IRFB5620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=72.5mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ600R12KS4
FZ600R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF6216PBF-1
IRF6216PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=240.0mOhms,Qg Typ=33nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGTG12N60C3D
HGTG12N60C3D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:24 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRGP4650DPBF
IRGP4650DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:76 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及...
IRFR48Z
IRFR48Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP6690D
IRGP6690D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562