IRF6717M
IRF6717M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ2400R17KE3_B2
FZ2400R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:3600 A; 最大栅极发射极电压:±20 ...
FF200R12KT4
FF200R12KT4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:320 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IHW30N100T
IHW30N100T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
NGTB40N120FLWG
NGTB40N120FLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FZ400R12KE3B1HOSA1
FZ400R12KE3B1HOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压...
IRFU7440
IRFU7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKW25N120FKSA1
SKW25N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
2N4416A-E3
2N4416A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AF-4,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:-35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389...
FZ900R12KE4
FZ900R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:900(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
SKW20N60HSFKSA1
SKW20N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:36 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FF300R12ME3
FF300R12ME3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:500 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4IBC20UDPBF
IRG4IBC20UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11.4 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IRF5803
IRF5803,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库...
IRG4BC15UD-L
IRG4BC15UD-L,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.8A,Vce(ON)@25C typ=2.02V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGB30N60
SGB30N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGW80H65FB
STGW80H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
PMBFJ111,215
PMBFJ111,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
IRFB4332
IRFB4332,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=33.0mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6785
IRF6785,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562