TIM5053-8SL
TIM5053-8SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:7000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF3575D
IRF3575D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.35mOhms,Rth(JA)=19.1C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGY50NB60HD
STGY50NB60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:Max247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
SKB04N60
SKB04N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:9.4 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRG7CH73UEF-R
IRG7CH73UEF-R,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=75A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6631
IRF6631,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM4231
IRFHM4231,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7910PBF-1
IRF7910PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=12V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=15mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS50R06W1E3
FS50R06W1E3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:21-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
AUIRGS4062D1
AUIRGS4062D1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:59 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BF1108R,215
BF1108R,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:配置:Single Dual Gate; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:7 V; 最大漏极栅极电压:7 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实...
IRF8304M
IRF8304M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW35HF60WDI
STGW35HF60WDI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
STGW39NC60VD
STGW39NC60VD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报...
IGW25N120H3FKSA1
IGW25N120H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
VS-70MT060WSP
VS-70MT060WSP,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-16,参数:通道类型:N; 引脚数目:16; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLL024N
IRLL024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKB10N60T
IKB10N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IKW30N60TFKSA1
IKW30N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PSC71K
IRG4PSC71K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.83V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562