AUIRG4BC30USTRL
AUIRG4BC30USTRL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
VS-GT175DA120U
VS-GT175DA120U,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:288 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及...
NE3517S03-T1C-A
NE3517S03-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFP4004
IRFP4004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=350A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4615B
IRGC4615B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB40N60IHLWG
NGTB40N60IHLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及...
VS-GA300TD60S
VS-GA300TD60S,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:Dual INT-A-Pak-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:530 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
STGD5NB120SZ-1
STGD5NB120SZ-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:IPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IRGP50B60PD1PBF
IRGP50B60PD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
VS-GB90DA60U
VS-GB90DA60U,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:147 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃....
IRF7807A
IRF7807A,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7779L2
IRF7779L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS150R12KE3G
FS150R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONoPACK+,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
NE4210S01-T1B
NE4210S01-T1B,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Case-4 S01,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
BSR57,215
BSR57,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
IRF3710L
IRF3710L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9362
IRF9362,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=32mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4B60K
IRGB4B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.8A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH30K10PBF
IRG7PH30K10PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:33 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...