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STGW45HF60WD

STGW45HF60WD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...

CLF1G0035S-50,112

CLF1G0035S-50,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467B-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...

STGB20NB37LZT4

STGB20NB37LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:375 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...

IKW25T120FKSA1

IKW25T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...

IRL1404Z

IRL1404Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FZ400R17KE3

FZ400R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:620 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报...

SGW30N60HSFKSA1

SGW30N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...

STGW80H65DFB

STGW80H65DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...

IRG4BC30FPBF

IRG4BC30FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

FF300R06KE3

FF300R06KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...

BSM150GB60DLC

BSM150GB60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:180 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...

FS150R06KE3

FS150R06KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:150(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报...

IRF7201

IRF7201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=30.0mOhms,Id=7.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFI4410Z

IRFI4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.3mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TIM1011-5L

TIM1011-5L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-9D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:5700 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRFS4321

IRFS4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

STGD8NC60KDT4

STGD8NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电...

BSR57,215

BSR57,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

IRF6715M

IRF6715M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFH8201

IRFH8201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=324A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562