IRFU48Z
IRFU48Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3006
IRFSL3006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS225R12KE4
FS225R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:29-Pin ECONOPP,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:29; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:320 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IKP03N120H2XKSA1
IKP03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...
STGW20V60F
STGW20V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
IRGP4063D-EPBF
IRGP4063D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
BSM15GD120DN2E3224
BSM15GD120DN2E3224,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:17-Pin ECONOPACK 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价...
STGF20H60DF
STGF20H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃....
2SK170-V(TPE2,F)
2SK170-V(TPE2,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:20 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRL1004S
IRL1004S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC50FB
IRG4CC50FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.45V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKZ75N65EH5XKSA1
IKZ75N65EH5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作...
FZ1200R17KF4
FZ1200R17KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:...
2SK932-23-TB-E
2SK932-23-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRLB8314
IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW35NB60SD
STGW35NB60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRGSL4B60KD1PBF
IRGSL4B60KD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGP3NC120HD
STGP3NC120HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRFB4410Z
IRFB4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7437
IRFB7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562