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IRGP6660D-EPBF

IRGP6660D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:95 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报...

IRF7456

IRF7456,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF9321

IRF9321,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,RDS(on) Max 4.5V=11.2mOhms,Qg Typ=34.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:075...

SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRL8113

IRL8113,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRG4PC30SPBF

IRG4PC30SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:34 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

STGD10HF60KD

STGD10HF60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 t...

IRF1405ZS

IRF1405ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFR7546

IRFR7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLU3802

IRLU3802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=12V,VGs=12V,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

J107

J107,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

VCR2N-E3

VCR2N-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-226AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

NGTB15N120LWG

NGTB15N120LWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

FS35R12YT3

FS35R12YT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EASY2-18,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...

STGWT60V60DF

STGWT60V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...

IRGS4715DTRRPBF

IRGS4715DTRRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...

IRGC4045B

IRGC4045B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRG4BC15UDSTRLP

IRG4BC15UDSTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

2N4393-2

2N4393-2,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRFR9N20D

IRFR9N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=380.0mOhms,Id=9.4A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562