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IRG7CH30K10EF

IRG7CH30K10EF,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IKP06N60TXKSA1

IKP06N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...

IRG7PH30K10PBF

IRG7PH30K10PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:33 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...

FS100R12KE3

FS100R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONoPACK 3B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询...

IRG4PC30KPBF

IRG4PC30KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

IRF7853

IRF7853,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TGF4240-SCC

TGF4240-SCC,场效应晶体管,品牌:Triquint,封装:Die-6,参数:最大漏源电压:12 V; 最大门源电压:0 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

FGH60T65SHD_F155

FGH60T65SHD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 1...

IRF8915

IRF8915,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=27mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

AUIRG4BC30SSTRR

AUIRG4BC30SSTRR,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:34 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

STGW40H120F2

STGW40H120F2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...

STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,...

ATF-52189-BLK

ATF-52189-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:500 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...

IRG7PSH50UD

IRG7PSH50UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=70A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ATF-531P8-TR1

ATF-531P8-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:300 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-7 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...

STGW30H60DF

STGW30H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...

FGAF40N60UFTU

FGAF40N60UFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...

IRFB38N20D

IRFB38N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=54.0mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FGP3040G2_F085

FGP3040G2_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 17...

RJH60D3DPP-M0#T2

RJH60D3DPP-M0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-220FL-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...