SI4410DY
SI4410DY,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKZ75N65NH5XKSA1
IKZ75N65NH5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作...
IRF3708
IRF3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKW20N60
SKW20N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
FS800R07A2E3
FS800R07A2E3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-33,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:33; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRL3705N
IRL3705N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=77A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKB20N60TATMA1
IKB20N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
NGTB75N60FL2WG
NGTB75N60FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...
IRG7CH81K10EF-R
IRG7CH81K10EF-R,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB6NC60HD-1
STGB6NC60HD-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:I2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
STGY50NC60WD
STGY50NC60WD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:Max247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:110 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
MMBFJ202
MMBFJ202,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLML2502
IRLML2502,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6276
IRLHS6276,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=45mOhms,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWA35HF60WDI
STGWA35HF60WDI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...
FP15R12W1T3
FP15R12W1T3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY1B,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
STGP7NB60K
STGP7NB60K,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...
IRGP4620DPBF
IRGP4620DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
STGD3NB60SD-1
STGD3NB60SD-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
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RJH60A83RDPD-A0#J2
RJH60A83RDPD-A0#J2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-252A-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to ...