TF262TH-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-623-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TIM8596-8,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10400 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGP20B60PD,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=22A,Vce(ON)@25C typ=2.50V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4059D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=4.0A,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=16A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH50UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
BSM50GD120DN2G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:21-Pin EconoPACK 3A,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:72 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买...
RGTH60TS65DGC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:58 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. ...
IRL1404ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGS23N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFSL4115,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.1mOhms,Id=99A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRGP4066D1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRGP30B120KD-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
VS-CPV364M4UPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:IMS-2-13,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:13; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IRF7316PBF-1,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=98mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW75N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4BC30KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRFU13N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=235mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4066B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6643,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=34.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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