TIM5867-15UL
TIM5867-15UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:12000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRG4MC50FSCX
IRG4MC50FSCX,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG4CC40KB
IRG4CC40KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4790D-EPBF
IRGP4790D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
IHW40T60FKSA1
IHW40T60FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFU7440
IRFU7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGP20N60UFDTU
FGP20N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG4PH40KD
IRG4PH40KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=2.74V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM10GP120
BSM10GP120,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRF8736PBF-1
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9383M
IRF9383M,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=4.8mOhms,Qg Typ=130.0nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipa...
IRF6662
IRF6662,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44Z
IRFZ44Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ2400R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B29,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及...
IRF7807VD1
IRF7807VD1,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FD600R17KE3_B2
FD600R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:950 A; 最大栅极发射极电压:±20 V...
TIM5964-30UL
TIM5964-30UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA05A,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:18000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGB20N40LZ
STGB20N40LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390(Typ) V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-...
IRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG7PH35UD
IRG7PH35UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562