IRF3205ZL
IRF3205ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4201
IRFH4201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=326A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ2400R17HE4B9NPSA1
FZ2400R17HE4B9NPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 ...
IRG7CH81K10EF-R
IRG7CH81K10EF-R,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM200GA120DLCS
BSM200GA120DLCS,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:370 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw...
STGWT20H65FB
STGWT20H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
NE3509M04-A
NE3509M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Su...
IRF7313PBF-1
IRF7313PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=46mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC40S
IRG4BC40S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=31A,Vce(ON)@25C typ=1.32V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB19NC60WT4
STGB19NC60WT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
ATF-50189-TR1
ATF-50189-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:0.8 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
IRFR13N20D
IRFR13N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=235.0mOhms,Id=14A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH50K10D-EPBF
IRG7PH50K10D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃...
IRLZ44NS
IRLZ44NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6662
IRF6662,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4060B
IRGC4060B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7437
IRFSL7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5204
IRFH5204,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF630N
IRF630N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=300.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGB10N60A
SGB10N60A,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...