IRF6892S
IRF6892S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S3C封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4650D-EPBF
IRGP4650D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:76 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
FS100R12KS4
FS100R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:19-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:19; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:130 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRG4CC60UB
IRG4CC60UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKW25N120
SKW25N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
AUIRG4BC30U-S
AUIRG4BC30U-S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2SK1875-V(TE85L,F)
2SK1875-V(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:32 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRF7104
IRF7104,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=400mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J176_D74Z
J176_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IGW30N100TFKSA1
IGW30N100TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFHM830
IRFHM830,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW75N60H3FKSA1
IGW75N60H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF2807
IRF2807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC40WB
IRG4CC40WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM50GB120DN2
BSM50GB120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:78 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IGP20N65F5XKSA1
IGP20N65F5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
IRFH7107
IRFH7107,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.5mOhms,Id=75A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FB20R06KL4_B1
FB20R06KL4_B1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
FS35R12W1T4
FS35R12W1T4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:21-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:65 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
NE3508M04-T2-A
NE3508M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方...