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IRG4PH40UPBF

IRG4PH40UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

BSR58,215

BSR58,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:80 mA; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...

STGWT40V60DLF

STGWT40V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...

IRFSL7437

IRFSL7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FS450R12KE4

FS450R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-29,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:29; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:675 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...

IRFB23N20D

IRFB23N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFH5406

IRFH5406,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.4mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BFR31,235

BFR31,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

IRG4BC20U

IRG4BC20U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.5A,Vce(ON)@25C typ=1.85V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FP15R12KS4C

FP15R12KS4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...

STGW80H65FB

STGW80H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...

TIM3742-8SL-341

TIM3742-8SL-341,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:6500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897...

IRG4RC10SDTRPBF

IRG4RC10SDTRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

IRG4BC20W-S

IRG4BC20W-S,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.5A,Vce(ON)@25C typ=2.16V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLR8721

IRLR8721,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FB15R06KL4_B1

FB15R06KL4_B1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:19 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...

IRG7PG42UD

IRG7PG42UD,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1000V,Ic@100C=45A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FGH50N6S2D

FGH50N6S2D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...

BSM300GA120DLC

BSM300GA120DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:570 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw....

ATF-36163-BLKG

ATF-36163-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single Quad Source; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-3 V; 最大漏极栅极电压:-3.5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...