FZ400R12KE3
FZ400R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
GT30J324(Q)
GT30J324(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
NE3503M04-T2-A
NE3503M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式...
IRGIB7B60KD
IRGIB7B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=8.0A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFS4010-7P
IRFS4010-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS3L30R07W2H3FB11BPS
FS3L30R07W2H3FB11BPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:34-Pin EASYPACK,参数:配置:Array 12; 通道类型:N; 引脚数目:34; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw...
DDB6U75N16W1R
DDB6U75N16W1R,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:69 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,...
IRFHM831
IRFHM831,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS41N15D
IRFS41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861B,235
BF861B,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4PC40F
IRG4PC40F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=27A,Vce(ON)@25C typ=1.50V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW40NC60KD
STGW40NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
TIM6472-60SL
TIM6472-60SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
J211_D74Z
J211_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ATF-55143-BLKG
ATF-55143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
IKP03N120H2XKSA1
IKP03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...
IRFB7787
IRFB7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7762
IRFSL7762,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9520NS
IRF9520NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-6...