IRGP6630D-EPBF
IRGP6630D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:47 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报...
MMBFJ270
MMBFJ270,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRGC4064B
IRGC4064B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7730
IRFSL7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL9V5036S3ST
ISL9V5036S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4PC50W
IRG4PC50W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=27A,Vce(ON)@25C typ=1.93V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0030PBF-1
IRLML0030PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30W-STRRP
IRG4BC30W-STRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
BSM50GB60DLC
BSM50GB60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
FGD4536TM
FGD4536TM,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFS3306
IRFS3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ400R33KL2C_B5
FZ400R33KL2C_B5,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHV73-5,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:3300 V; 最大连续集电极电流:750 A; 最大栅极发射极电压:±20 V...
CM400DU-12F
CM400DU-12F,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Mitsubishi,封装:Module,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF9335
IRF9335,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=110.0mOhms,Qg Typ=4.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
FZ1200R16KF4
FZ1200R16KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1600 V; 最大连续集电极电流:1200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7455PBF-1
IRF7455PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGA25N120ANTDTU_F109
FGA25N120ANTDTU_F109,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...
IRF1404L
IRF1404L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7440
IRFH7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=159A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW25N120H3
IGW25N120H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...