IRGPS60B120KDP
IRGPS60B120KDP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:105 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
STGWA19NC60HD
STGWA19NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:52 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRFB3306
IRFB3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC50B60PD
IRGC50B60PD,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PSH71KD
IRG4PSH71KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-274AA封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=42A,Vce(ON)@25C typ=2.97V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH46UD-EP
IRG7PH46UD-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:108 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...
IRGS14C40L
IRGS14C40L,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=430V,Ic@100C=14A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB35N35LZT4
STGB35N35LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电...
STGWT40V60DLF
STGWT40V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. ...
IKW30N60H3
IKW30N60H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRFIZ48N
IRFIZ48N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM0910-08
TIM0910-08,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10400 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7PH42UD1MPBF
IRG7PH42UD1MPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. ...
IRFR1205
IRFR1205,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7907
IRF7907,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=13.7mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30S-STRLP
IRG4BC30S-STRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:34 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRG4IBC20WPBF
IRG4IBC20WPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFH7911
IRFH7911,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 C封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=4.0mOhms,Rth(JA)=37 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHS9351
IRFHS9351,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=290mOhms,Rth(JA)=90C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP19NC60SD
STGP19NC60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...