ATF-531P8-TR1
ATF-531P8-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:300 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-7 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
IRFL4105
IRFL4105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS4610DPBF
IRGS4610DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买...
SKB15N60
SKB15N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IKB20N60T
IKB20N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
MMBF4393
MMBF4393,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
ISL9V5045S3ST_F085
ISL9V5045S3ST_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:480 V; 最大连续集电极电流:51 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 ...
FZ2400R12KL4C
FZ2400R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V;...
IRGP4660D
IRGP4660D,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU120N
IRLU120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=185mOhms,Id=6.9A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMBF4393LT1G
SMMBF4393LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFH7914
IRFH7914,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGF15H60DF
STGF15H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220 FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-5...
FGPF15N60UNDF
FGPF15N60UNDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRG4BC30W-STRRP
IRG4BC30W-STRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
VS-GT140DA60U
VS-GT140DA60U,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买...
IRLTS2242
IRLTS2242,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=-32.0mOhms,Qg Typ=12.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
IRLML6402
IRLML6402,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=8.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM1011-5L
TIM1011-5L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-9D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:5700 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF9910
IRF9910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=18.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562