STGWT60V60DLF
STGWT60V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBFJ175
MMBFJ175,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IKW75N60T
IKW75N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...
IRF7424PBF-1
IRF7424PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.0mOhms,Qg Typ=75nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电...
IRFP3710
IRFP3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4760PBF
IRGP4760PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购...
FS20R06W1E3B11BOMA1
FS20R06W1E3B11BOMA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 175...
SMMBFJ309LT1G
SMMBFJ309LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGP10NB60S
STGP10NB60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:29 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:...
IRFSL4010
IRFSL4010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF520N
IRF520N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Id=9.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU6215
IRFU6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580mOhms,Qg Typ=44nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-9A,库存实时...
IRG4PH30KDPBF
IRG4PH30KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
TIM5964-30SL
TIM5964-30SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
BF511,215
BF511,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFP7537
IRFP7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=172A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP048N
IRFP048N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4062D
IRGB4062D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS14C40LPBF
IRGS14C40LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838...
IRG4PC30KDPBF
IRG4PC30KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...