IRF1503S
IRF1503S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9358
IRF9358,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=23.8mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4321
IRFB4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-40MT120UHAPBF
VS-40MT120UHAPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-12,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:12; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
SGW30N60HS
SGW30N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
TIM3742-45SL-341
TIM3742-45SL-341,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
FS200R06KE3
FS200R06KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:200(Typ) A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报...
NGTB30N120IHLWG
NGTB30N120IHLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRGS4620DPBF
IRGS4620DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买...
TGF4240-SCC
TGF4240-SCC,场效应晶体管,品牌:Triquint,封装:Die-6,参数:最大漏源电压:12 V; 最大门源电压:0 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FGH75T65UPD
FGH75T65UPD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRGS4607DTRRPBF
IRGS4607DTRRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...
IRFB3806
IRFB3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-36163-BLKG
ATF-36163-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single Quad Source; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-3 V; 最大漏极栅极电压:-3.5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
FF300R12KT3_E
FF300R12KT3_E,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:480 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
IKW75N60H3FKSA1
IKW75N60H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFU9120N
IRFU9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480mOhms,Qg Typ=18nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-4.1A,库存...
IRGR2B60KD
IRGR2B60KD,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=3.7A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4213
IRFH4213,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3708
IRFR3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.5mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562