IRG4BC30W
IRG4BC30W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC40WB
IRG4CC40WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS400R07A1E3
FS400R07A1E3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-23,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:500 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRFB4019
IRFB4019,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=95.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ46Z
IRFZ46Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.6mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8743
IRLB8743,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.2mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB50N60SWG
NGTB50N60SWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...
IRF9362
IRF9362,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=32mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1407
IRF1407,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHW30N160R2FKSA1
IHW30N160R2FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRL2505S
IRL2505S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5053-35SL
TIM5053-35SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FGB3236_F085
FGB3236_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:44 A; 最大栅极发射极电压:±12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRGC4066F
IRGC4066F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH50N6S2D
FGH50N6S2D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
TIM1112-15L
TIM1112-15L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:11500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF7406
IRF7406,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=39.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRFPS3810
IRFPS3810,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=141A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB50N120FL2WG
NGTB50N120FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
AUIRG4BC30USTRL
AUIRG4BC30USTRL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...