IRG4CC50WB
IRG4CC50WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.93V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF5802
IRF5802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=1200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IJW120R100T1FKSA1
IJW120R100T1FKSA1,场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:1200 V; 最大连续漏极电流:0.026 mA; 最大门源电压:2 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价...
FP50R12KT3
FP50R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
IRF6648
IRF6648,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5359-45SL
TIM5359-45SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRL1404ZS
IRL1404ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3107-7P
IRFS3107-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1405
IRF1405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=133A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3307
IRFB3307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPM2626-60
TPM2626-60,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G6A,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:26000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1.4 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF6802SD
IRF6802SD,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SA封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=5.9mOhms,Rth(JA)=72C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4119
MMBF4119,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6622
IRF6622,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861A,215
BF861A,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7749L2
IRF7749L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4271B
IRGC4271B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=75A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6797M
IRF6797M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH60D1DPP-M0#T2
RJH60D1DPP-M0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-220FL-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...