RGT16NS65DGTL
RGT16NS65DGTL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-263S-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
FP20R06W1E3_B11
FP20R06W1E3_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-23,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:27 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购...
2SK209-BL(TE85L,F)
2SK209-BL(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:14 mA; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRG7PK35UD1
IRG7PK35UD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1400V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=2.00V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP6650DPBF
IRGP6650DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
IRFB3407Z
IRFB3407Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.4mOhms,Id=122A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG8CH37K10F
IRG8CH37K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=35A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC40WPBF
IRG4BC40WPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
FD1200R17KE3-K_B2
FD1200R17KE3-K_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1700 A; 最大栅极发射极电压:±...
STGB20NB41LZ
STGB20NB41LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:382 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
ATF-50189-BLK
ATF-50189-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:0.8 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
DF650R17IE4
DF650R17IE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:930 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGC75B120KB
IRGC75B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7799L2
IRF7799L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=38.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH44K10D-EPBF
IRG7PH44K10D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃...
IRF6218S
IRF6218S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Qg Typ=21.0nC,Rth(JC)=0.61K/W,Power Dissipation@TC 25C=250W,Id@TC 25C=-2...
IRFI4212H-117P
IRFI4212H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=100V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM7785-16UL
TIM7785-16UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:14000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
TIM5053-16SL
TIM5053-16SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:14000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRGC4275B
IRGC4275B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=200A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562