IRG4PSC71UDPBF
IRG4PSC71UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFP4004
IRFP4004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=350A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC50F
IRG4PC50F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=39A,Vce(ON)@25C typ=1.45V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP20B120U-EP
IRGP20B120U-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IKB03N120H2ATMA1
IKB03N120H2ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
IRFR3410
IRFR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7452
IRF7452,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM8596-2
TIM8596-2,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-9D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:2600 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGW45NC60VD
STGW45NC60VD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRLR8256
IRLR8256,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.7mOhms,Id=81A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4620
IRFR4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DF650R17IE4
DF650R17IE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:930 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IKW40N65H5FKSA1
IKW40N65H5FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:74 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
FF200R12KT3
FF200R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:295 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
TIM3742-8UL
TIM3742-8UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:7000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SGP20N60
SGP20N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
NGTG15N120FL2WG
NGTG15N120FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
IRLB8721
IRLB8721,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
APT33GF120LRDQ2G
APT33GF120LRDQ2G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Microsemi,封装:TO-264-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:64 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买...
NE3210S01
NE3210S01,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Case-4 S01,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...