BSM100GAL120DLCK,
BSM100GAL120DLCK,,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:205 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
IRF100B202
IRF100B202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.6mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4227
IRFI4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=26A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6613
IRF6613,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ1600R12KL4C
FZ1600R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-7,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:2450 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式...
IRGP4063D1
IRGP4063D1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL9V3036S3ST
ISL9V3036S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGP4063DPBF
IRGP4063DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRFR3410
IRFR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH30N60LSDTU
FGH30N60LSDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7483M
IRF7483M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MF封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=135A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM300GA120DLC
BSM300GA120DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:570 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw....
IRG7PH35UD1
IRG7PH35UD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD6NC60HT4
STGD6NC60HT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
IRG7PG42UD
IRG7PG42UD,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1000V,Ic@100C=45A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD20N40LZ
STGD20N40LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390(Typ) V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-5...
FS75R12KT4_B11
FS75R12KT4_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-25,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:25; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRFB3207
IRFB3207,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS4620D
IRGS4620D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC40K
IRG4PC40K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562