FS225R12KE3
FS225R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONoPACK+,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:325 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
STGP3HF60HD
STGP3HF60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:7.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
BSM50GB120DLC
BSM50GB120DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:115 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
ATF-511P8-TR2
ATF-511P8-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
VS-GB50NA120UX
VS-GB50NA120UX,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:84 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ATF-331M4-BLK
ATF-331M4-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRG7CH44K10EF
IRG7CH44K10EF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM7785-16UL
TIM7785-16UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:14000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFP260N
IRFP260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4640-EPBF
IRGP4640-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:65 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...
IRGSL14C40L
IRGSL14C40L,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=430V,Ic@100C=14A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7424
IRF7424,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.0mOhms,Qg Typ=75.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRL3705NS
IRL3705NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1104
IRF1104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2502TRPBF-1
IRLML2502TRPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ176,215
PMBFJ176,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:35 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
IRF7457PBF-1
IRF7457PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC30K
IRG4PC30K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=16A,Vce(ON)@25C typ=2.21V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGB8207ABNT4G
NGB8207ABNT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:365 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFH5106
IRFH5106,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562