IRF1503S
IRF1503S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU5305
IRFU5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Qg Typ=42nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-18A,库存实时更新...
STGP19NC60HD
STGP19NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
STGW80H65DFB
STGW80H65DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
IRLR2905
IRLR2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS6B60KDTRLP
IRGS6B60KDTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:13 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF6795M
IRF6795M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7831
IRF7831,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB40N60IHLWG
NGTB40N60IHLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及...
IRFML8244
IRFML8244,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGA30N60H3XKSA1
IGA30N60H3XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
NGTB30N60SWG
NGTB30N60SWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购买...
IRFI4410Z
IRFI4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.3mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL7486M
IRL7486M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=209A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF512,235
BF512,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFZ48ZS
IRFZ48ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6633A
IRF6633A,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MU封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=69A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6613
IRF6613,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF300R17ME3
FF300R17ME3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:375 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7416Q
IRF7416Q,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=35.0mOhms,Qg Typ=61.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...