TMD0608-4
TMD0608-4,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:16-Pin 7-BA25A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3000 mA; 最大门源电压:-5 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
- Description：Trans JFET N-CH 15V 3A 16-Pin 7-BA25A
- 品牌：Toshiba
- 封装：16-Pin 7-BA25A
- 描述：N沟道,场效应晶体管,参数:Trans JFET N-CH 15V 3A
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
| Configuration: | Single |
| Channel Type: | N |
| Maximum Drain Source Voltage: | 15 V |
| Maximum Continuous Drain Current: | 3000 mA |
| Maximum Gate Source Voltage: | -5 V |
| Mounting: | Screw |
| Rad Hard: | No |
- Description：Trans JFET N-CH 15V 3A 16-Pin 7-BA25A
- 品牌：Toshiba
- 封装：16-Pin 7-BA25A
- 描述：N沟道,场效应晶体管,参数:Trans JFET N-CH 15V 3A
- DataSheet：数据手册 pdf
