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IRF7504

IRF7504,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=270mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLZ24NS

IRLZ24NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFR4105Z

IRFR4105Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.5mOhms,Id=30A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7380PBF-1

IRF7380PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=80V,VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

DDB6U75N16YR

DDB6U75N16YR,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:10-Pin EASY2,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:69 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...

IRF6641

IRF6641,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7469

IRF7469,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.0mOhms,Id=9.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFZ34NS

IRFZ34NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FGH60N60UFDTU

FGH60N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...

TIM5964-30UL

TIM5964-30UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA05A,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:18000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

IGW15T120FKSA1

IGW15T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...

IRGB4610DPBF

IRGB4610DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...

IRG4MC40USCV

IRG4MC40USCV,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方...

STGP15H60DF

STGP15H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-2,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600(Min) V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:...

STGF20H60DF

STGF20H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...

IRG4CC50FB

IRG4CC50FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.45V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF3709Z

IRF3709Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FZ2400R17KE3

FZ2400R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:3200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...

MMBF4392LT1G

MMBF4392LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...