IRF5210L
IRF5210L,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：P-channel Power MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：TO-262
- 描述：P沟道功率MOS管