TPCP8F01(TE85L,F,M),多芯片分立器件,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Multi Chip Discrete Device; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8F01; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
2SC5277A-2-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:SMCP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:90@10mA@5V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:...
TIP32C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; ...
EML17T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2SAR523UBTL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50mA ...
STN888,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:120@10mA@1V|100@500mA@1V|70@5A@1V|55(Typ)@8A@1V|...
KSP92BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
2SA1797T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:82@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@50mA@1A ...
BF840,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:67@1mA@10V; 最大工作频率:380(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:40 V; 工作温度:-...
MJD117,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003APGONHZA,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
DTC114TETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更...
2SC2712GRTE85RF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2...
2SC2130,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=600mW,Ic=800mA,BVcbo=45V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCW67BE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@100uA@10V|120@10mA@1V|160@100mA@1V|60@500mA@...
PEMH14,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
DTC114YUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
DDTA143XCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
CPH3115-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:450(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.375@15mA@7...
LMN400B01-7,PNP晶体管和N-MOSFET,带有栅极下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN40...
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