DDTC114TCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
2SA1615,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=10000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=10V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.25V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
BD437,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:85@500mA@1V|30@10mA@5V|40@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz...
2SA1452A-YF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-220-3NIS,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:120@1A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.3...
DXT5401-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极...
BF420,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP31AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3...
2SD789,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DMMT5551S-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大...
FW26025A1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:5000@2A@3V|750@10A@3V|200@30A@3V; 最大集电极发射...
BCX70HE6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MH...
KST10MTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:60@4mA@10V; 最大工作频率:650(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:...
MPS750,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=75,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=75MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1318A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=70V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.6V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBSS2515VPN,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|150@100mA@2V|90@500mA@2V; 最大工作频率:420...
BDX33C,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集...
2SA1593S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@100mA@...
RN1403TE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
RN2130MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
2STR2160,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:180@0.5A@2V|45@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.26@50mA@0....
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