2SA1862TLP
2SA1862TLP,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:82@100mA@5V; 最大工作频率:18(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A V...
2SC4177
2SC4177,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP41
TIP41,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=6000mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DMC904F00R
DMC904F00R,功率晶体管,品牌:Panasonic,封装:SSMini6-F3-B-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20@TR 1|50@TR 2 V; 最大DC直流集电极电流:0.015@TR 1|0.1@TR 2 A; 最小DC直流电流增益:65@1mA@6V@TR 1|21...
2SC4116
2SC4116,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HFA3096BZ96
HFA3096BZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-16 N,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V@NPN|20@10mA@2V@PNP; 最大工作频率:8000(Ty...
STD830CP40
STD830CP40,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DIP-8,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|18@0.7A@5V|4@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压...
BC847,215
BC847,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...
DTC143EUAT106
DTC143EUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
2SB1216T-H
2SB1216T-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@2A V; 最大...
BCX53-16,115
BCX53-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
A1015
A1015,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=130,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD32CT4
MJD32CT4,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:20@500mA@10V|3@0.5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; 最大...
MMSTA14-7-F
MMSTA14-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@...
DDTC115TUA-7-F
DDTC115TUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BCP5516E6327
BCP5516E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:100(Typ) ...
BD13916S
BD13916S,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|25@0.5A@2V|100@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50...
TPCP8J01(TE85L,F,M)
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...
DDTA123YCA-7-F
DDTA123YCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
MUN5230DW1T1G
MUN5230DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:3@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...