ULN2804AFWG(C,ELHA)
ULN2804AFWG(C,ELHA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
8550SS
8550SS,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTA114YUA-7-F
DDTA114YUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
SMMBT2369LT1G
SMMBT2369LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@1V|20@100mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@1mA@10mA V; 最大...
2N4403
2N4403,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.75V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP69-16,115
BCP69-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@500mA@1V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA...
ZXTN4002ZTA
ZXTN4002ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:60@85mA@0.15V|100@150mA@0.2V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-55...
FJMA790
FJMA790,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:MicroFET-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@1A@1.5V|100@1.5A@1.5V|100@2A@3V|100@500mA@2V; 最大集电极...
2SC5866TLQ/R
2SC5866TLQ/R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-346T-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@25mA@500mA V; 最大集电极基极电压:...
2N5172
2N5172,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=500,Vce(sat)=0.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4922G
2N4922G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@50mA@1V|30@500mA@1V|10@1A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
2DD2661-13
2DD2661-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:170(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA...
BFS483H6327XTSA1
BFS483H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:70@15mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:...
BFU630F,115
BFU630F,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:90@5mA@2V; 最大工作频率:21000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:16 V; 工作温度:-65...
MPSH10/11
MPSH10/11,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=40mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=3V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=650MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003APG(C,N,HZA)
ULN2003APG(C,N,HZA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1...
RN2103MFV,L3F
RN2103MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:70@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
BD647-S
BD647-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|2.5@50mA@5A V; 最大集电极...
BCP52-16,115
BCP52-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
SMMBTH10-4LT3G
SMMBTH10-4LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:120@4mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150...