BFR193E6327HTSA1
BFR193E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20...
BC856S,125
BC856S,125,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10m...
2SC2983
2SC2983,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=1500mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC847ALT1G
BC847ALT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
BC856B,215
BC856B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
FZTA14TA
FZTA14TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|5000@1A@...
DTA114EE
DTA114EE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX757
ZTX757,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@5V|40@10mA@5V; 最大工作频率:30(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
BC817K16WH6327XTSA1
BC817K16WH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:170(Typ) M...
TIP117
TIP117,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=2.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MUN2133T1G
MUN2133T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
BD241C
BD241C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A V; 工...
PBSS8110D,115
PBSS8110D,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@10V|150@250mA@10V|100@0.5A@10V|80@1A@10V; 最大工作频率:1...
BFG520/XR,235
BFG520/XR,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:60@20mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作...
DST857BDJ-7
DST857BDJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10uA@5V|200@2mA@5V; 最大工作频率:340(Typ) MHz; 最大集电极发射极...
CPH3245-TL-E
CPH3245-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.26@50mA@1A V...
2SB776
2SB776,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+`MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC114GKAT146
DTC114GKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
P2N2222AG
P2N2222AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@10mA@10V|100@150mA@10V...
2SD667A
2SD667A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562