2SA1930(Q)
2SA1930(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-220-3NIS,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:180 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@0.1A@5V|50@1A@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱...
ZXT10N50DE6TA
ZXT10N50DE6TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@1A@2V|100@2A@2V; 最大工作频率:1...
DTA123YE
DTA123YE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA...
PBLS4004Y,115
PBLS4004Y,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|40@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V@NPN|40@500mA@2V@P...
3DA5200C
3DA5200C,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2PB709ART,215
2PB709ART,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:210@2mA@10V; 最大工作频率:70(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10m...
FMMT491TA
FMMT491TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|30@2A@5V; 最大工作频率:150(Min)...
2N4401_D81Z
2N4401_D81Z,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500...
2SA836
2SA836,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=55V,BVceo=55V,BVebo=5V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=500,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTA113ZE,115
PDTA113ZE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BUT70W
BUT70W,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:125 V; 最大集电极发射极饱和电压:0.9@1.75A@35A|0.9@7A@70A|1.2@1.75A@35A|1.5@7A@70A V; 最大集电极基极电压:...
KTA1273
KTA1273,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP127G
TIP127G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@...
MMBT2222A
MMBT2222A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150m...
PN2907ATF
PN2907ATF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
DTC115EE
DTC115EE,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=82,Vo(on)=0.3V,R1=100K+欧姆,R2=100K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5088TF
2N5088TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:300@10uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
MJE270G
MJE270G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@20mA@3V|1500@120mA@10V; 最大工作频率:6(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:2@0...
MPSA42RLRAG
MPSA42RLRAG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大...