STC03DE220HV
STC03DE220HV,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:STC03DE220HV; 安装方...
TD62783APG(O,S,HZN)
TD62783APG(O,S,HZN),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:2@350mA|1.9@225mA|1.8@100mA V; 安装方式:Through Hole. 询报...
EMG2DXV5T5G
EMG2DXV5T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-553-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surf...
NSBC144WPDP6T5G
NSBC144WPDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
BCX52
BCX52,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSS12100UW3TCG
NSS12100UW3TCG,功率晶体管,品牌:ON,封装:WDFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|100@500mA@2V|75@1A@2V; 最大工作频率:200(Min) MHz; 最大集...
2SB946
2SB946,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=7000mA,BVcbo=130V,BVceo=80V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=260,Vce(sat)=0.5V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IMH21T110
IMH21T110,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:20 V; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:820@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
2SC5866TLR
2SC5866TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@1A V...
CJ10P20DE6
CJ10P20DE6,贴片晶体管,三极管,SOT-23-6L封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=2500mA,BVcbo=20V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.35V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
ST13009
ST13009,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:10@8A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.85@0.8A@4A|0.9@1A@5A|...
KSA643YTA
KSA643YTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压...
2SA1242
2SA1242,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838...
2N5550RLRPG
2N5550RLRPG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射极饱...
NSBC114TF3T5G
NSBC114TF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
PBSS303PZ,135
PBSS303PZ,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5.3 A; 最小DC直流电流增益:250@0.5A@2V|250@1A@2V|200@2A@2V|130@4A@2V|80@7A@2V; 最大...
MAT01GHZ
MAT01GHZ,功率晶体管,品牌:ADI,封装:TO-78-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:340(Typ)@10nA@15V|250@10uA@15V|610(Typ)@10mA@15V; 最大工作频率:45...
2SD2012
2SD2012,贴片晶体管,三极管,TO-263-2L封装,参数为:Pcm=2mW,Ic=3mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STN9360
STN9360,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:170@1mA@5V|120@20mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10m...
2N3019
2N3019,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10...